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众所周知,全球唯有台积电和三星可以进行5nm以下的先进工艺的半导体芯片制造厂商,为争夺更多的芯片市场份额,两家都不约而同地开始了先进工艺争夺战,争先开发更先进的半导体芯片制程。今日,台积电在2022年技术论坛上官宣公布下一代先进制程N2,也

台积电正式公布2nm先进工艺,将终结FinFET晶体管

台积电9月份将量产3nm工艺,这一代还会继续使用FinFET晶体管,2025年量产的全新一代2nm工艺才会用上GAA晶体管技术,他们也会使用美国厂商的EDA技术,而且依赖性很高。据悉,EDA电子设计自动化在半导体行业并不是一个价值很高的市场

台积电的2nm先进制程将在2025年量产

现阶段,按照芯片路线图,台积电和三星作为全球最先进的芯片晶圆代工厂商正在加快研发3nm芯片制程,但相比三星的大胆猛进采用GAAFET技术,台积电显然在3nm工艺制程上十分小心,依然沿用FinFET技术,但或许台积电在3nm进展不顺。据外媒报

台积电的3nm芯片代工制程再度推迟

众所周知,台积电和三星是唯二能够制作出3nm先进制程的晶圆代工厂商,因此中国台湾和韩国、美国是半导体比较发达的区域,为保证其技术优势,台积电和三星多次优化半导体人才培养体系。最近台积电再度搞出大动作!近日,台积电宣布正式启动大学FinFET

继16nm后,台积电已开放7nm相关课程扶持人才

虽然在芯片工艺上,台积电和三星有所分歧,台积电为保证良品率优势,依然坚持在3nm制程采用FinFET工艺,而三星相比台积电品牌号召力不足,为抢先优势,毅然在3nm制程采用GAAFET技术。虽然在芯片工艺阶段,台积电比三星晚采用GAAFET,

台积电的2nm芯片先进工艺将如约而至

随着芯片制程工艺的提升,由于晶体管密度限制和工艺提升难度,三星率先在芯片工艺上放弃FinFET转用GAA技术,从台积电手中抢走过不少订单,如高通骁龙888和骁龙8 Gen等,但在3nm GAA工艺上,三星似乎遇到了不少麻烦,至今仍未量产,而

三星搞3nm GAA工艺不行?良产率仅50%

产品简介Zynq™ UltraScale+™ MPSoC 器件基于业内最先进的16nm FinFET+工艺制程打造,整合了64位ARM Cortex-A53处理器、512位ARM Mali-400 MP2图形处理器以及可编程逻辑单元,具有强

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明佳达电子Mandy 2024-02-24 17:10:30
面向新一代应用的广泛器件组合:XCZU19EG-1FFVC1760E、XCZU19EG-2FFVE1924E四核应用处理器和 GPU (EG) 器件

概述:Virtex UltraScale+ 器件是基于 14nm/16nm FinFET 节点的高性能 FPGA,支持 3D IC 技术和多种计算密集型应用。AMD 第三代 3D IC 使用堆叠硅片互联 (SSI) 技术打破了摩尔定律的限制

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明佳达电子Mandy 2024-05-15 15:11:58
现场可编程门阵列 (FPGA) XCVU5P-L2FLVA2104E、XCVU5P-2FLVA2104I支持 3D IC 技术的高性能 FPGA

简介Kintex™ UltraScale+™ 器件在 FinFET 节点中提供高性价比,为需要高端功能(包括 33Gb/s 收发器和 100G 连接内核)的应用提供了经济高效的解决方案。该产品系列同时支持数据包处理和 DSP 密集型功能,是

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明佳达电子Mandy 2024-05-17 14:46:32
FPGA应用,XCKU5P-2FFVA676E XCKU5P-L2FFVB676E XCKU5P-3FFVB676E能够驱动 16G / 28G 背板的收发器

简介Kintex® UltraScale+™ FPGA在 FinFET 节点中提供高性价比,为需要高端功能(包括 33Gb/s 收发器和 100G 连接内核)的应用提供了经济高效的解决方案。该中端产品系列同时支持数据包处理和 DSP 密集型

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明佳达电子Mandy 2024-05-18 13:50:37
通过 SmartConnect 技术简化 IP 集成,XCKU15P-1FFVA1760E、XCKU15P-2FFVA1760E现场可编程门阵列规格参考