现阶段,按照芯片路线图,台积电和三星作为全球最先进的芯片晶圆代工厂商正在加快研发3nm芯片制程,但相比三星的大胆猛进采用GAAFET技术,台积电显然在3nm工艺制程上十分小心,依然沿用FinFET技术,但或许台积电在3nm进展不顺。
据外媒报道,在将3nm制程工艺的量产时间由外界预计的9月底推迟到四季度晚些时候之后,当前全球最大的晶圆代工商台积电,将再次将这一先进制程工艺的量产时间推迟3个月。
据了解,韩媒报道,声称台积电将3nm制程工艺的量产时间再度推迟三个月,也就是说量产时间将推到明年。
之前,台积电CEO魏哲家表示正在推进四季度的3nm量产,确保3nm芯片以高良品率量产,预计产能将在2023年稳步提升。
然而,此前有报道称台积电的3nm制程工艺在9月底前后就将量产,魏哲家透露的四季度晚些时候,较他们的预计已有推迟。
但按照媒体报道,表示台积电推迟3nm芯片量产,或将是设备的交付出现问题,导致供应能力无法满足客户的需求。