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众所周知，芯片行业存在一个定理，那就是摩尔定律，主要内容是集成电路上可容纳的晶体管数目在大约每18个月便会增加一倍。掌握FPGA/IC工程师需要的核心技能，来凡亿教育！>>《基于VIVADO平台的FPGA时序约束教程》随着技术的提升和原材料
随着芯片内置晶体管数量越来越多，不到一年间隔研发从10nm、7nmnm到5nm，现如今已发展到一年半间隔研发3nm和2nm，可以说研发下一代工艺芯片所需时间越来越长。芯片的摩尔定律即将走到极限。掌握PCB精髓，来凡亿教育吧！>>《Alleg
目前芯片制造的上游企业主要以台积电、三星、英特尔为主，以台积电为例，研发芯片的先进制程是4nm，今年下半年将投产3nm先进芯片。而我国大陆发展芯片制造起步较晚，在芯片制造、晶圆代工等方面稍弱，研发最先进的芯片工艺是14nm制程，在2020年
近日三星表示有望在本季度（即未来几周）开始使用3GAE（3nm级栅极全方位早期）制造工艺量产芯片，这意味着三星将首次量产3nm制造芯片，也是全球第一个使用GAAFET（栅极全包围场效应晶体管）的半导体厂商。零基础学习FPGA/ASIC来看看
作为全球半导体先进工艺的领导者，三星和台积电一直垄断着先进芯片领域，但由于近年来三星负责高通的骁龙处理器订单不顺，导致其骁龙产品口碑性能反响不佳，导致高通部分订单转向台积电。为保证先进工艺地位，近日三星宣布将用3nm工艺生产GAA环栅晶体管
对于半导体工艺来说，大家都对先进工艺有一定的了解，不熟悉成熟制程，举个例子，手机厂商品牌主打招牌必定是采用先进工艺制程的芯片，如3nm、5nm、7nm，但先进工艺制程是在半导体芯片的顶端层面，对于整个半导体行业来说，基本上是以中下游产业为主
众所周知，全球能制作芯片先进工艺的半导体代工厂商只有台积电、三星，目前，在先进工艺上，台积电和三星量产或即将量产的7nm、5nm及3nm。而作为半导体强国的美国却在时间长河中逐渐被落后在台积电三星。为了实现在赛道上超过台积电和三星，美国计划
时序性能是FPGA设计最重要的技术指标之一，在项目设计中很多人经常会遇见时序性能差的现象，但不知道该如何解决。造成时序性能差的根本原因有很多1、布局太差如图所示：该图是布局太差的时序报告示意图，其中附加的周围约束为3nm，实际周期为3.02
随着微电子技术和信息技术的日益成熟，5G、大数据、人工智能等多项科技技术层出不穷，这必然要求高性能的芯片，这也促使了先进制程工艺的诞生。然而纵观全球，目前只有台积电和三星能够称霸芯片先进制程工艺，也是唯二能够生产3nm工艺芯片的半导体厂商，
众所周知，5nm以下的芯片先进制程，全球唯有台积电和三星能够进行，所以成为了多家大型品牌公司的选择。如高通、苹果、Intel等，这也造成台积电和三星旗鼓相当、平分秋色。但近年来随着三星良品率的降低，所生产的芯片散热不足，不如台积电更稳定，导
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