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据外媒报道,三星已通知客户,DDR3内存芯片最后接单时间将截止到2022年末,并承诺会在2023年完成所有内存订单。凡亿教育带你走进DDR3:>>8层DDR3全流程PCB设计实战>>8层DDR3FLY-BY拓扑结构实战这意味着,从2024年

DDR3内存即将落幕,三星将在2024年停产DDR3内存

DDR5内存都来了,DDR3内存是不是要彻底退出历史舞台了?那得看什么应用场景。华邦电子今日宣布,将在未来10多年内继续供应DDR3 DRAM内存芯片产品,并且会持续扩产,以确保满足客户的长期使用需求。目前,DDR3出货量占华邦DRAM总收

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DDR3内存要退场?华邦电子不允许仍要持续扩产

韩国是全球最主要的存储芯片生产地,特别是内存,三星及SK海力士两家公司就占了全球七成%以上的份额,这也是韩国出口最赚钱的芯片,然而8月份出口创下了2019年以来的最惨跌幅。据报道,韩国通商部周五发布的数据显示,8月份你内存 (DRAM动态随

芯片行业不景气,韩国内存芯片出口量暴跌

众所周知,若是要制作先进芯片,离不开EUV(极紫外)光刻机,不管是世界一流的芯片代工厂商台积电、三星、Intel等,都需要和EUV光刻机厂商ASML打好关系,然而有个厂商却宣布成功绕过EUV光刻机打造出先进芯片?近日,美国内存芯片龙头企业美

美光宣布已成功绕过EUV光刻技术制作芯片

众所周知,在上世纪八九十年年代左右,日本曾经是半导体领域的一方霸主,甚至打遍海外公司,逼得Intel推出内存芯片转向CPU领域发展,然而却因为错过基于导致逐渐衰落,无力在芯片先进制造工艺上竞争。为振兴半导体事业并掌握核心技术,日本近年来多次

日本为振兴半导体,将投入5万亿日元量产2nm工艺

若要问哪家内存芯片业务谁最强,毫无疑问是三星电子,尤其是在HBM、NAND等芯片业务上,三星可以说是称霸全球。这些年来,三星电子不断在HBM芯片上改革,提出多项重大技术。据外媒报道,三星电子将在2024年年底推出可将HBM内存与处理器芯片3

传三星将推HBM封装,有望改变AI半导体规则

内存芯片中,DRAM毫无疑问是使用频率极高的,尤其是当下电子技术高速发展,很多厂商必须密切关注这些芯片的发展趋势,以此抢占更多的市场份额。近日,知名市场调研机构TrendForce对2024年第三季度的DRAM和VRAM芯片进行了预测,他

2024年Q3:DRAM产品价格或将攀升

随着人工智能(AI)技术的飞速发展,作为AI芯片的关键技术支持,高频宽存储器(HBM)芯片成为了当下最火爆的芯片新宠,然而其产能资源有限,市场上呈现出“僧多粥少”场面,HBM内存芯片严重供不应求。为了改变这一现状,存储器行业的全球龙头企业,

HBM内存芯片火爆,严重供不应求

今年9月合肥长鑫宣布开始量产 8Gb 颗粒的国产 DDR4 内存,随着总投资 1500 亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产,我们可自主生产国产第一代 10nm 级 8Gb DDR4 内存。不过国产内存的产能占全球的比例依然非常小,长鑫今年内的产能只有 2 万片晶圆 / 月,2020 年的时候国内

合肥长鑫宣布量产DDR4内存

如果了解三星电子近年动态,会发现三星电子在先进芯片制程及AI芯片领域内落后,大量客户被台积电及SK海力士等厂商夺走,为此三星电子必须主动做出改变。近期,三星电子高官在2024年财报电话会宣布:公司在向英伟达供应人工智能(AI)内存芯片方面取

三星内存芯片获得重大进展,打响反击战!