随着人工智能(AI)技术的飞速发展,作为AI芯片的关键技术支持,高频宽存储器(HBM)芯片成为了当下最火爆的芯片新宠,然而其产能资源有限,市场上呈现出“僧多粥少”场面,HBM内存芯片严重供不应求。
为了改变这一现状,存储器行业的全球龙头企业,如SK海力士、三星电子和美光等都在积极光从HBM芯片产能,然而扩充需要一定时间,可以说现在是抢夺HBM芯片的激化期。
据了解,HBM技术的特点是有极强的高速数据传输能力,是AI芯片设计中不可或缺的一部分,从HBM1到HBM3E,每一代产品都在堆叠层数、传输速度和存储容量上实现了显著提升。
自从2023年AI芯片火爆,英伟达靠着AI芯片业务,订单数量及营收暴涨,特别是其采用HBM3E存储器的H200芯片,进一步推动了HBM市场的蓬勃发展。
据悉,SK海力士、三星和美光三大厂商今年的HBM供应能力已经全部耗尽,而且包括明年的产能大部分早已被预定,为了满足更多市场需求,缓解产能紧张趋势,这些厂商正在展开一场激烈的产能扩充竞赛。
SK海力士计划大幅增加其第5代1b DRAM的产能,以应对HBM和DDR5 DRAM需求的增加。三星也在今年3月宣布将大幅提高HBM产能,而美光正在美国建设先进的HBM测试生产线,并考虑在马来西亚生产HBM。