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众所周知，若是要制作先进芯片，离不开EUV（极紫外）光刻机，不管是世界一流的芯片代工厂商台积电、三星、Intel等，都需要和EUV光刻机厂商ASML打好关系，然而有个厂商却宣布成功绕过EUV光刻机打造出先进芯片？
近日，美国内存芯片龙头企业美光宣布，已采用全球最先进的1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并已做好量产芯片的准备的。
据美光官方表示，1β工艺可将能效提高约%，存储密度提升%以上，单颗裸片（Die）容量高达16Gb（2GB）。
但需要注意的是，虽然美光声称该1β技术已绕过EUV（极紫外）光刻机，但依然采用的是DUV（深紫外）光刻机，这意味着，相比同行竞争对手三星、SK海力士，美光需要更复杂的内存芯片设计方案来弥补，这是由于DRAM芯片的先进性很大程度上是取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，所以很多存储芯片厂商都是通过不断缩小电路面积来加强自家存储产品的竞争力。当然这样做的好处是，在最终产品的成本上，美光更加具备优势。能节省一笔支出。毕竟EUV光刻机的造价高达数亿美元，维护成本也很高。
据了解，美光已经在LPDDR5X移动内存上率先应用1β工艺，还使用了第二代HKMG(高K金属栅极)工艺，最高速率8.5Gbps(等效于8500MHz)。
