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一、静电放电波形和能量频谱 静电放电(ESD)理论研究的已经相当成熟,为了模拟分析静电事件,前辈电路设计了很多静电放电模型。 常见的静电模型有:人体模型(HBM),带电器件模型,场感应模型,场增强模型,机器模型和电容耦合模型等。芯片级一般用HBM做测试,而电子产品则用IEC 6 1000-4-2的放电模型做测试。为对 ESD 的测试进行统一规

电路设计防静电原理解析

在内存芯片中,DRAM毫无疑问是使用频率极高的,尤其是当下电子技术高速发展,很多厂商必须密切关注这些芯片的发展趋势,以此抢占更多的市场份额。近日,知名市场调研机构TrendForce对2024年第三季度的DRAM和VRAM芯片进行了预测,他

2024年Q3:DRAM产品价格或将攀升

HBM2E Flashbolt 是先进的内存包产品,提供卓越的带宽功能和下一级能效,所有这些都采用紧凑、易于使用的格式。HBM2E Flashbolt 是一款第三代 16GB HBM2E 产品。它提供更高级别的规格,通过垂直堆叠八层 10

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明佳达电子Mandy 2024-06-17 16:55:29
适用于超级计算和 AI 技术的KHAA84901B-MC16、KHAA84901B-JC17、KHAA84901B-JC16高带宽内存产品

​(1)首先大家需要明白ESD其实是属于我们EMS这一大项里面的

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ESD支持4KVHBM参数怎么确定?跟打静电的电压是什么关系呢?

近日,三星宣布公司已经成功运行了HBM-PIM芯片的AMD GPU加速器MI-100,并展示了其性能。三星称,与其他没有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比,HBM-PIM芯片将AMD GPU加速卡的性能提高了一倍,能耗平均降低了约50%。

三星推出面向人工智能的存储器技术

若要问哪家内存芯片业务谁最强,毫无疑问是三星电子,尤其是在HBM、NAND等芯片业务上,三星可以说是称霸全球。这些年来,三星电子不断在HBM芯片上改革,提出多项重大技术。据外媒报道,三星电子将在2024年年底推出可将HBM内存与处理器芯片3

传三星将推HBM封装,有望改变AI半导体规则