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近日三星表示有望在本季度（即未来几周）开始使用3GAE（3nm级栅极全方位早期）制造工艺量产芯片，这意味着三星将首次量产3nm制造芯片，也是全球第一个使用GAAFET（栅极全包围场效应晶体管）的半导体厂商。零基础学习FPGA/ASIC来看看
信息电子技术与电力电子技术在现代工业及多种行业的重要性愈发凸显，随着多项科技技术兴起，从而形成高频化、全控性、采用集成电路制造工艺的电力电子奇迹，从而将电力电子技术带到下一个阶段，其典型代表有晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管，而开
场效应管在放大电路和开关电路中应用广泛，再加上场效应晶体管中的绝缘栅型属于平面工艺制作，所以在集成电路设计中应用到的晶体管基本上是场效应晶体管。所以本文将分享场效应晶体管的分类及特点。场效应晶体管分为结型场效应晶体管和绝缘栅型长效亿晶体管，
场效应晶体管种类繁多，对于初入晶体管行业的小白来说可能是很难分辨，无法搞懂其结构组成，也就造成场效应晶体管基础知识不行。但场效应晶体管在晶体管行业来说却是非常重要，所以本文将重点分享场效应晶体管的符号结构。一般来说，场效应晶体管的分类结构如
半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT、IGCT、发光二极管、敏感器件等。半导体分立器件
三极管的种类繁多，常见的有NPN三极管、PNP三极管、功率三极管、场效应晶体管等。不同种类的三极管具有不同的特性和应用范围，需要根据具体的应用需求选择合适的型号。本文将介绍三极管的类型及检测方法。一、三极管的类型三极管根据其结构和特性可以分
IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
在现代电子设备中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是一种常见的元件，具有很多优秀的特性，如高阻抗、低噪声、易于驱动等，但在设计过程中，会发现MOS管刚通电就被烧毁，这是怎么回事？首先，MOS管在刚通电的瞬间就可能被烧毁。这种问题可能
在电子工程中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是一种极为常见的半导体器件，特点是高效高速低功耗等，因此被广泛应用在各种电子设备中，然而有时候，电流方向难以控制，所以工程师你知道如何控制MOS管的电流方向吗？1、MOS管的结构及工作原
在电子元件中，金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是独特且重要，然而相比其他元件，MOS管很容易失效，导致电路无法正常运行，因此工程师必须查找原因并解决问题。1、MOS管为什么很容易失效？①静电放电（ESD）MOS管的输入阻抗极高，使
