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MOSFET是DCDC电源电路中最关键的器件之一, MOSFET的正确选型在很大程度上决定了电源电路是否能正常工作。MOSFET和三极管都可作为开关器件,首先简要地对比这两种器件的特性。(1) 三极管器件属于双极型流控器件,为获得大的集电极电流,相应地需注入大的基极电流,且三极管的响应速度在很大程度上受到其内部少数载流子(少子)的影响。而MOSFET属于单极型压控器件,工作时,在栅极上消耗的电流极小,且其工作原理只涉及多数载流子(多子),不受少子的影响,因此其响应速度和功率效率都远高于
英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置-OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
罗姆推出具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件-通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。
近日三星表示有望在本季度（即未来几周）开始使用3GAE（3nm级栅极全方位早期）制造工艺量产芯片，这意味着三星将首次量产3nm制造芯片，也是全球第一个使用GAAFET（栅极全包围场效应晶体管）的半导体厂商。零基础学习FPGA/ASIC来看看
近日，来自日本国立材料研究所（NIMS）和东京理科大学的科研团队成功研发新型“有机双栅极反双级”晶体管，可通过调节执行五种逻辑门（AND、OR、NAND、NOR、XOR）操作中的任何一种双栅极的输入电压，可应用在开发“电可重构”型逻辑电路。
产品概述 CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、
关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的
UCC27531QDBVRQ1功能框图驱动配置：低端通道类型：单路驱动器数：1栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET电压 - 供电：10V ~ 32V逻辑电压 - VIL，VIH：1.2V，2.2V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2.
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且，通过选取合适沟道晶面以及优化设计的结构，可以实现最佳的沟道迁移率，明显降低导通电阻，因此，新一代SiC
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