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IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况,由于对IGBT关断机理认识不清,
IGBT关断过程分析
IGBT关断过程的分析上一篇,我们写了基于感性负载下,IGBT的开通过程,今天,我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析,而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOS