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场效应管在放大电路和开关电路中应用广泛，再加上场效应晶体管中的绝缘栅型属于平面工艺制作，所以在集成电路设计中应用到的晶体管基本上是场效应晶体管。所以本文将分享场效应晶体管的分类及特点。
场效应晶体管分为结型场效应晶体管和绝缘栅型长效亿晶体管，卷圆栅型场效应晶体管最常见的是以SiO作为绝缘层，所以也叫作金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称MOS管，同时按照电流通道的不同，分为N沟道和P沟道。由于形成沟道的机制不一样而分为增强型MOS管和耗尽型MOS管。
1、绝缘栅型场效应晶体管的结构
绝缘栅（IG）型场效应晶体管的结构，如图所示，该结构有三个脚:源(Source)、漏（Drain)、栅（Gate)。该结构为增强型N沟道场效应i MOS 晶体管，其中沟道长度为L(一般单位为um)，宽度为W(单位也为um)。该结构是在一块掺杂浓度较低的Р型硅片上,利用扩散方法制成二个高掺杂浓度的N型半导体区，在二个N区引出二个电极，分别为源极（S极）和漏极（D极)。在漏源之间的衬底表面覆盖一层二氧化硅(Si0）作为绝缘层，并在绝缘层上沉积上一层金属层，再在金属层上引出电极作为栅极(G极)，由于Si0。绝缘，所以栅极和源漏之间相互绝缘，是靠电场作用。衬底有一个电极(B，Base )。
①增强型
增强型（Enhancement-type) MOS场效应晶体管的结构如图所示，这里表示的是增强型N沟道MOS场效应晶体管的结构示意图，在漏极(D）和源极(S)之间，没有N沟道连接。它是依靠在栅极（G）加上正电位，由于上层的金属与半导体之间相隔绝缘的氧化物(Si0z)，所以在Si02下面产生电场，P型材料里的少子(电子)在电场的作用下被吸引到P型材料与氧化层的接面上，由于这个接面聚集大量电子形成反型层(N型)，所以在二个N*区之间就形成一个N型的长长沟道，把二个N'区连接起来，所以当栅极不加电位时，漏极和源极之间即使加上电压差，漏、源之间也没有电流，通过控制栅极电位，控制沟道宽度，从而控制漏极和源极之间的电流。强型Р沟道的MOS场效应管的原理也一样。
②耗尽型
耗尽型（Depletion-type)MOS场效应晶体管的结构如图所示，这里表示的是耗尽型N沟道MOS场效应晶体管的结构示意图，从图可以看出，它是在二氧化硅的氧化层下面预先扩散一层N型材料，这样在漏极(D）和源极(S）的二个N区域之间有一个N型的沟道，所以与增强型MOS场效应晶体管不同，在栅极没有外加电压时，漏极和源极之间只要加上电压，漏极和源极之间就会有电流流过，当然同样可以通过控制栅极电压，控制沟道的宽度。
2、结型场效应管的结构
以N沟道为例，N沟道的结型场效应管的结构如图所示，它是在N型半导体材料的两侧扩散进重掺杂的P*区，把两个P*区连接在一起并接上电极，作为栅极（G)，在半导体材料的上下两端引出电极分别为漏极（D)和源极(S)，在P*区和N区之间形成两个PN结，在两PN结的中间是电子流通的通道，称为导电沟道。因为电子流通的通道为N沟道，所以N沟道结型场效应管。
