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HBM2E Flashbolt 是先进的内存包产品，提供卓越的带宽功能和下一级能效，所有这些都采用紧凑、易于使用的格式。HBM2E Flashbolt 是一款第三代 16GB HBM2E 产品。它提供更高级别的规格，通过垂直堆叠八层 10
若要问哪家内存芯片业务谁最强，毫无疑问是三星电子，尤其是在HBM、NAND等芯片业务上，三星可以说是称霸全球。这些年来，三星电子不断在HBM芯片上改革，提出多项重大技术。据外媒报道，三星电子将在2024年年底推出可将HBM内存与处理器芯片3
在内存芯片中，DRAM毫无疑问是使用频率极高的，尤其是当下电子技术高速发展，很多厂商必须密切关注这些芯片的发展趋势，以此抢占更多的市场份额。近日，知名市场调研机构TrendForce对2024年第三季度的DRAM和VRAM芯片进行了预测，他
在Linux系统中，当用户在Shell界面输入一个可执行文件名并按下回车键时，一系列复杂步骤随即展开，旨在将可执行文件加载到内存中，并创建新的进程来执行，这一过程不仅涉及底层操作系统的资源管理，还体现了现代操作系统的多任务处理和内存管理机制
随着人工智能（AI）技术的飞速发展，作为AI芯片的关键技术支持，高频宽存储器（HBM）芯片成为了当下最火爆的芯片新宠，然而其产能资源有限，市场上呈现出“僧多粥少”场面，HBM内存芯片严重供不应求。为了改变这一现状，存储器行业的全球龙头企业，
今年9月合肥长鑫宣布开始量产 8Gb 颗粒的国产 DDR4 内存，随着总投资 1500 亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产，我们可自主生产国产第一代 10nm 级 8Gb DDR4 内存。不过国产内存的产能占全球的比例依然非常小，长鑫今年内的产能只有 2 万片晶圆 / 月，2020 年的时候国内
随着数据传输速率越来越高，现在计算机系统中的数据传输接口基本上都串行化了，像USB、PCIe、SATA、DP等等外部总线将并行总线挤压到只剩下内存总线这个最后的堡垒。当然，就算是并行传输总线最后的倔强DDR也在不断吸收SERDES上的技术来提升自己，尤其是均衡器（Equalization，EQ）技术
内存两年内将价格大暴涨！
在半导体供应链中，内存是最重要的芯片种类之一，它们的存在可以提高系统的性能及数据传输速率。但内存的价格波动很大，所以很多厂商必须根据市场趋势合理调整内存库存。知名市场调研机构集邦咨询分析：随着市场需求看涨、供需结构改革、价格拉升、HBM崛起
我是老温，一名热爱学习的嵌入式工程师关注我，一起变得更加优秀！只有在堆内存里面才会发生内存泄漏的问题，在栈内存中不会发生内存泄漏。因为栈内存在自动分配空间之后，还会自动释放空间。什么是堆内存？存储方式是什么样的呢？首先我们先来介绍一下堆内存在C代码中的存储方式。C代码中动态申请堆内存的申请函数是ma
简介在快速发展的半导体技术领域，Bunch of Wires（BoW）协议因其能够促进高效的芯片到芯片（D2D）并行接口而脱颖而出。本文探讨 BoW 的最新进展和未来方向，重点是其在光学、内存和物联网接口中的应用。BoW 主要功能BoW 的开放式物理层和链路层规范旨在支持高性能 D2D 接口。关键性
