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我们用了二个篇幅去讨论功率MOSFET的漏极脉冲电流以及和短路保护相关的测量规范，那么，在实际的应用中，这些规范是否能够完全解决短路保护的问题呢？今天，我们讨论有关这个技术指标的4个实际的细节，希望能够给大家提供一些参考。
1 短路保护并联均流
电动汽车和电动自行车控制器目前大量地使用中压的功率MOSFET，相对而言电动自行车的功率较低，短路保护的设计现在完全可以满足实际的应用要求。但是对于电动汽车，输出功率非常大，三相全桥6组功率MOSFET，每组使用14-16管、多管并联工作，在短路大电流冲击的过程中，由于驱动电路、PCB布局和每个MOSFET的参数的差异，多管很难做到完全的并联均流，其中的某些单管会流过更大的电流，温度更高，非常容易导致短路大电流的局部集中，从而损坏功率MOSFET。
图1：电动汽车控制器功率板
图2：电动汽车控制器
一些电动汽车控制系统的研发工程师，通过调整短路保护的延时，来保证短路发生时系统的安全性，但是带来的问题是：如果短路保护的延时过小，可能导致满载无法起动或输出不了满负载。而且，很多时候，某一个型号的控制器要卖给不同的客户，不同的客户采用的电机的参数也不相同，而且同一个客户可能采用不同厂家的电动机，这就会导致在某一个客户或某一个客户的某一个机型，控制器的延时调到和电动机匹配得比较好，而采用同样的延时的控制器，在这个客户的其它机型或另一个客户那里，系统就可能出现问题，要么无法有效的实现短路保护，要么满载无法起动或无法输出满负载。
因此，必须从系统和产品二个方面，来做优化的设计，使系统满足设计的要求。
2 短路保护的方式
通常我们使用MOSFET饱和的短路电流，使用单脉冲持续的时间来评估功率MOSFET抗短路冲击的性能。下面我们看看，一位做电机驱动的资深工程师吴微提供的一个例子，虽然是IGBT的应用，但是对于功率MOSFET，同样具有参考价值。
图3：短路保护工作波形
我们看到，在短路过程中，发生了连续多个短脉冲的冲击，每个短脉冲持续时间为2uS，满足IGBT单脉冲测试规范，但是 IGBT最后还是发生损坏。对于器件本体参数的测试，即便是使用多脉冲，通常一个脉冲结束后，硅片的温度回到常温，然后再加下一个脉冲，就是不考虑多脉冲能量累积的效应，但是，如果实际的应用中，发生了能量的累积效应，那么单脉冲的测试结果，就不能完全保证这样的短路条件下，系统仍然可靠不发生损坏。
但是，单脉冲的测试结果仍然具有参考价值，它为评估不同器件的短路性能提供了标准和对比，单脉冲短路性能强的器件，在多脉冲的条件，同样具有更强的短路性能。
3 单脉冲电流和实际短路保护的大电流
前面我们分析过，测试单脉冲短路性能时，功率MOSFET工作在线性区，也就是放大区，而在有些实际的应用中，系统短路时，虽然短路电流比较大，但是功率MOSFET并没有工作在线性区，因此，这种条件下的短路和器件级的短路性能是不同的。
系统短路时，如果功率MOSFET仍然工作在完全导通状态，那么可以通过功耗来校核结温，另一个方面，要考虑到雪崩UIS问题。
4 PCB布局和短路保护问题
通常在系统的输入端有大电容提供负载电源，输入电容到功率MOSFET桥臂上下端会有杂散电感，很多研发工程师发现：如果这个输入回路的杂散电感大，短路电流就会降低，但是MOSFET的VDS的尖峰电压会提高。反过来，输入回路的杂散电感小，短路电流就会增加，MOSFET的VDS的尖峰电压会降低。两者相矛盾，这需要研发工程师做一些平衡。
在设计过程中，特别是对于输出功率较大的系统，通常是尽可能的减小回路杂散电感来减小尖峰电压和EMI的影响，同时可以提高系统的效率，而短路保护通过调节短路的延时和控制方式来保证。
