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SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且，通过选取合适沟道晶面以及优化设计的结构，可以实现最佳的沟道迁移率，明显降低导通电阻，因此，新一代SiC
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本次内容介绍DCDC轻载工作模式技术文章分享给大家，特别是其中的突发模式作为凌特的专利，很长的一段时间曾让很多想设计轻载高效的电源IC的公司为之头痛，如今轻载高效已经成为众多电源IC的一个基本的要求，有些产品如AOZ3015，12V-5V/10mA的轻载效率已经达到85%以上。目前高频高效的DCD
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同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构，其工作频率由早期的低于100KHz，提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz，甚至更高，工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低，但是，缺点就是开关损耗会增加。功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同
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在实际的应用中，电子系统会遇到一些超低压差的BOOST变换器，如基于USB供电的系统，由于考虑到USB线上的压降，会采用一个升压的BOOST变换器，将电压升到5V以上，如5.15V，5.2V或5.25V。通常USB口由于输出负载的影响以及主机USB电源管理功能的差异，其电压会在4.75V到5.1V之
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1、BUCK变换器关键回路和关键节点不管是什么类型的变换器，PCB布局设计的关键就是要找到电路系统的关键回路和关键节点，那么什么是电路系统的关键回路和关键节点？通常，电流变化率di/dt大的环路以及电压变化率dV/dt大的节点，就是关键回路和关键节点，在PCB布局设计的时候，要优先考虑和布局。 BU
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作者经常遇到许多研发工程师寻问功率MOSFET的SOA曲线有关的问题，如有些做电源的研发工程师，电源结构为反激或BUCK降压变换器，他们测量到功率MOSFET的电压和电流波形，然后根据电压、电流波形和工作的脉宽时间，在SOA曲线中描出对应的工作点，来校核工作点是否在SOA曲线的范围内，以此来判断功
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峰值电流模式控制方式在占空比大于50%的时候，系统容易进入不稳定的工作状态：次谐波震荡，就是功率器件的开关波形发生宽脉冲和窄脉冲交替出现的状态，特别是在电感较小情况下，这种现象更容易发生。次谐波震荡导致输出电压纹波突然增加，系统的动态响应变差。 1、次谐波震荡产生原因 BUCK变换器采用峰值电流模式
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0、前言锂离子电池包的内部，电芯和输出负载之间要串联功率MOSFET，使用专用的IC控制MOSFET的开关，从而对电芯的充、放电进行管理，如图1所示。在消费电子系统中，如手机电池包，笔记本电脑电池包等，带有控制IC、功率MOSFETFE管以及其他电子元件的电路系统称为电池充放电保护板Protecti
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上周我们推送一篇高大上的SiC应用文章，许多资深工程师为之振奋，一些年轻工程师表示要加紧学习，快速提高自己的水平。今天我们再回到基本面，学习功率MOSFET一些基础知识。10多年前做研发使用功率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流ID
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功率MOSFET的数据表中，通常列出了包括单脉冲雪崩能量EAS、单脉冲雪崩电流IAS、重复脉冲雪崩能量EAR、重复脉冲雪崩电流IAR等参数，许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对系统的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑
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