MachXO3 FPGA 系列是最小、成本最低的 I/O 可编程平台,旨在扩展系统功能并使用并行和串行 I/O 桥接新兴的连接接口。 MachX03 简化了新兴连接接口 MIPI、PCIe 和 GbE 的实施,例如通过将先进的小尺寸封装与片
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说明LCMXO2-2000HC-4BG256C (MachXO2)可编程逻辑器件 (PLD) 由六个超低功耗、即时启动、非易失性 PLD 组成,可提供 256 至 6864 个查找表 (LUT) 的密度。此外,莱迪思半导体的 MachXO2
MSP430 系列超低功耗微控制器 (MCU) 包括多个器件,器件配备不同的外设集以满足各类应用的需求。此架构与多种低功耗模式配合使用,是延长便携式测量应用电池寿命的最优选择。 MSP430F524系列属于微控制器,配有四个16位定时器、一
产品概述 CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、
概述英飞凌CoolSiCTM MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。产品规格1、参数:IMZA120R040M1HXKSA1 (IMZA120R040M1H)FET 类型:N
产品概述LMG341xR150 GaN FET具有集成驱动器和保护功能,让设计人员能够在电动电子系统中实现更高功率密度和效率。LMG341xR150 GaN FET具有超低输入和输出电容、零反向恢复(可将开关损耗降低高达80%)以及低开关节
FS05MR12A6MA1BBPSA1 1200V SIC AG-HYBRIDD 汽车IGBT模块该电源模块采用新的 CoolSiCTM 汽车 MOSFET 1200V,针对电动传动系统应用进行了优化。特性4.2kV DC 1sec 绝缘高
F3L400R10W3S7 EasyPACK IGBT模块是扩展电流逆变器设计的理想平台,实现更高功率,机械侧无需改变太多。该器件具有大电流密度和低开关损耗。F3L400R10W3S7包括TrenchstopTM IGBT7和PressFI
带有 IGBT4 和二极管的 HybridPACK™ 驱动模块是一款符合汽车标准的电源模块,专为混合动力和电动汽车应用而设计。 产品 FS380R12A6T4LB 配有 PinFin 基板和高性能陶瓷。优势紧凑型设计直冷底板和高性能陶瓷集成
MachXO2 可编程逻辑器件 (PLD) 由六个超低功耗、即时启动、非易失性 PLD 组成,可提供 256 至 6864 个查找表 (LUT) 的密度。 MachXO2 系列 PLD 提供了多种特性,例如嵌入式块 RAM (EBR)、分布
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