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随着时代发展，芯片逐渐高密度化、高性能化，随之而来是愈发严重的电磁干扰问题，对电子工程师来说，做好电磁兼容性（EMC）设计是很有必要的，而EMC设计离不开去耦电容的配置，那么如何配置？
1、电源入口大容值电解电容
在电源输入端直接跨接一个10uF至100uF的电解电容器，条件允许时优选更大容量（如100uF以上），以有效滤除低频电源噪声。
2、芯片级小容值陶瓷电容
为每个集成电路芯片配置至少一个0.01uF的陶瓷电容器，紧贴芯片电源引脚放置，以快速响应高频噪声，减少电源波动对芯片的影响。
3、高密度布局下的替代方案
当PCB空间有限，无法为每个芯片单独配置陶瓷电容时，可采用每4至10个芯片共享一个1uF至10uF的钽电解电容器，利用其低高频阻抗特性（500kHz-20MHz内阻抗<1Ω）进行去耦。
4、敏感器件特殊处理
对于噪声敏感度高或开关时电流变化剧烈的器件（如ROM、RAM），直接在Vcc与GND之间接入去耦电容，确保电源稳定，减少干扰。
5、引线最小化原则
去耦电容的引线应尽量短，特别是高频旁路电容应避免使用长引线，以减少寄生电感和电阻，提高去耦效果。
6、布局与布线优化
在布局时，将去耦电容尽可能靠近电源引脚，并采用宽而短的电源线与地线，形成低阻抗路径，增强去耦效果。
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