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激光器晶圆的切割工艺
关于激光器晶圆切割问题，在上次的基础上补充一些内容，大家建议取消文章收费设置，本主觉得有道理，以后发文均不收费了。 这是一篇关于晶圆切割的问题，主要是我用到的GaAs晶圆，也可以应用到InP晶圆等等需要晶面的晶圆上，供大家借鉴。 如下图，dies从wafer上切割下来，才能进行下一步的封装，
今年9月合肥长鑫宣布开始量产 8Gb 颗粒的国产 DDR4 内存，随着总投资 1500 亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产，我们可自主生产国产第一代 10nm 级 8Gb DDR4 内存。不过国产内存的产能占全球的比例依然非常小，长鑫今年内的产能只有 2 万片晶圆 / 月，2020 年的时候国内
半导体先进封装是一种将多个芯片组件集成在一起的技术，旨在提高芯片的性能、集成度和效率，它涉及将生产加工后的晶圆进行切割、焊线、塑封等步骤，使电路与外部器件实现连接，并为半导体产品提供机械保护，免受物理、化学等环境因素损失。封装技术可分为传统
半导体封测是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程，半导体封测在整个芯片生产流程中占据重要地位，使芯片从设计到实际应用的桥梁，随着技术发展，半导体封测也在不断革新，以此满足对岸子产品对更小、更轻、更便捷及更高性能的需
今天看到一份其他公司的晶圆芯片的制作工艺流程，其中有一道工艺是采用亚硫酸金钠溶液经过低温成膜形成黄金层。 我们都知道晶圆在进行金属层沉积的时候，常用溅射或者蒸发的工艺，因此镀膜层厚度一般都不高，特别是镀金子的时候，100g金真的到晶圆上的不会超过20g，浪费啊。流程原文对这两步工序的介绍如
1、晶圆电镀金常用工艺过程：1、在晶圆上先做打底层金属，什么Cr\Ni\Au; Ti\Pt\Au; AiWAu等形成导电层。2、涂光刻胶、光刻电镀需要的图案。3、清洗后进行电镀4、去掉光刻胶，也会撕掉部分不需要的图案处的金5、去胶清洗6、退火2、电镀工艺控制 电镀工艺参数的控制对镀层性能的影响很大
如果了解近年晶圆制造行业动态，一定会发现三星电子在先进制造方面有些跟不上台积电，芯片良品率未能得到改善，多位大客户转投台积电，这也引发了人才危机。据韩媒报道，三星电子近期因业绩不佳而面临人才流失问题，大量高级员工正在考虑跳槽至对手SK海力士
