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存储控制器(Storage Controller)是计算机系统中负责管理存储器的硬件或软件组件。它负责存储器的访问、数据传输和数据处理等任务,是计算机系统中重要的部分。01存储控制器特点1、独立性:存储控制器可以独立于其他部件工作,与主机C

走进计算机系统,了解存储控制器

Stratix V FPGA:为带宽而打造Stratix V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺进行制造,提供110万逻辑单元(LE)、53-Mbits嵌入式存储器、3,680个18x18乘法器,以及工作在业界最高速率28

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明佳达电子Mandy 2024-05-27 13:45:41
FPGA/5SGSMD3E2H29C3G/5SGSMD3E3H29C2G/5SGSMD3E3H29I3G提高了系统集成度和性能

概述Stratix® V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺进行制造,提供110万逻辑单元(LE)、53-Mbits嵌入式存储器、3,680个18x18乘法器,以及工作在业界最高速率28 Gbps的集成收发器。器件还采用了

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明佳达电子Mandy 2024-05-29 13:38:28
为带宽而打造的FPGA,5SGSMD4K1F40C2G和5SGSMD4K2F40I3G产品概述、特性、及参数

Stratix V系列FPGA采用新的存储器体系结构,降低延时,高效实现FPGA业界最好的系统性能。Stratix V FPGA为网络设备生产商提供存储器接口解决方案,支持在互联网上迅速有效的传送视频、语音和数据。Stratix V FPG

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明佳达电子Mandy 2024-06-04 13:56:53
FPGA可编程逻辑IC  5SGXEB9R3H43C3G、5SGXEB9R3H43I3G突破带宽瓶颈,降低了宽带应用的成本和功耗

SMART DDR3(L) SDRAM组件与行业广泛兼容,并提供x8和x16配置。这些1.35v(DDR3L)和1.5V(DDR 3)器件采用标准78和96引脚网格阵列封装,时钟速度为1866 Mbps,密度为1Gb、2Gb和4Gb。KTD

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明佳达电子Mandy 2024-06-13 15:33:41
(存储器)4Gb DDR3(L) SDRAM KTDM4G3C618BGCEAT、KTDM4G3C618BGIEAT动态随机存取存储器

VK1S68C是1/5~1/8 占空比的 LED 显示控制驱动电路。由 10 路段输出、4 路位输出、3路段/位输出,1个显示存储器、控制电路、键扫描电路组成了一个高可靠性的LED驱动电路。串行数据通过3线串行接口输入到VK1S68C。采用

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VK杨桃 2024-06-26 16:27:45
高稳定数码管驱动VK1S68C超抗干扰数显芯片抗干扰能力强,FAE技术支持

多处器件未连接,造成多处开路报错等长绕线应尽量上下咬合绕线太乱,尽量到保持间距一致绕线整齐地址线等长不达要求,有电容的走线应建立xSignals整条走线进行等长时钟走线等长错误,应按下图示范等长以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训

90天全能特训班23期-杨杨 20 常用存储器设计-1片SDRAM的PCB设计

随着人工智能(AI)技术的飞速发展,作为AI芯片的关键技术支持,高频宽存储器(HBM)芯片成为了当下最火爆的芯片新宠,然而其产能资源有限,市场上呈现出“僧多粥少”场面,HBM内存芯片严重供不应求。为了改变这一现状,存储器行业的全球龙头企业,

HBM内存芯片火爆,严重供不应求

1:摩尔定律1965年,硅谷传奇,仙童“八叛徒”之一,英特尔原首席执行官和荣誉主席,伟大的规律发现者戈登·摩尔正在准备一个关于计算机存储器发展趋势的报告。在他开始绘制数据时,发现了一个惊人的趋势。每个新的芯片大体上包含其前任两倍的容量,每个芯片产生的时间都是在前一个芯片产生后的18~24个月内,如果

芯片工艺的5nm和7nm是怎么来的?揭开芯片工艺和摩尔定律背后的“秘密”

一、单片机内部结构分析我们来思考一个问题,当我们在编程器中把一条指令写进单片机内部,然后取下单片机,单片机就可以执行这条指令,那么这条指令一定保存在单片机的某个地方,并且这个地方在单片机掉电后依然可以保持这条指令不会丢失,这是个什么地方呢?这个地方就是单片机内部的只读存储器即ROM(READ ONL

让你秒懂的单片机内部结构原理