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目前芯片制造的上游企业主要以台积电、三星、英特尔为主，以台积电为例，研发芯片的先进制程是4nm，今年下半年将投产3nm先进芯片。而我国大陆发展芯片制造起步较晚，在芯片制造、晶圆代工等方面稍弱，研发最先进的芯片工艺是14nm制程，在2020年
根据Intel的芯片工艺路线图，到2025年之前他们要在短短4年内掌握5代CPU工艺，其中有2代还是首次进入埃米级工艺，今年下半年将要量产Intel 4工艺，也就是对标友商的”4nm“工艺，也是Intel首款使用EUV光刻机的工艺。目前台积
全球唯有台积电和三星能够制作5nm以下工艺的晶圆代工，然而随着芯片工艺制程的提升，研发难度越来越高，发布时间也越来越少，这也造成很多人说摩尔定律将死。纵观台积电的路线发展图，台积电将在2022年年底量产3nm工艺，2025年量产2nm，在此
芯片工艺的升级意味着手机的迭代更新，然而用户的需求低迷及通货膨胀，导致很多手机品牌砍单减产，甚至2023年1月除了苹果之外仍然没有手机厂商下单台积电的3nm工艺。近日，据媒体曝了，在三星电子3nm制程工艺量产近半年后，台积电的3nm制程工艺
在半导体制造设备中，光刻机毫无疑问是最重要的核心设备，直接决定着芯片工艺的先进程度，目前最先进的光刻机是荷兰光刻机制造厂商ASML研发的EUV光刻机，可制造7nm以下的工艺，售价约10亿元左右。美国打压中国所采取的措施之一就是强制ASML向
虽然在芯片工艺上，台积电和三星有所分歧，台积电为保证良品率优势，依然坚持在3nm制程采用FinFET工艺，而三星相比台积电品牌号召力不足，为抢先优势，毅然在3nm制程采用GAAFET技术。虽然在芯片工艺阶段，台积电比三星晚采用GAAFET，
在芯片先进工艺上，唯有中国台湾的台积电、韩国的三星、美国的Intel可以做到5nm以下的芯片工艺，但很少人知道，在40年前，日本在全球半导体行业是公认第一的，然而却遭到美国打压，逐渐失去主场优势，无力与美国、韩国等半导体强国竞争。虽然日本现
近年来，欧美国家对俄罗斯实施了一系列经济和科技制裁，其中就包括限制俄罗斯企业使用EDA先进软件和制造设备，为摆脱海外限制，俄罗斯正在努力寻求新的解决方案。尽管受到制裁的影响，俄罗斯的科技企业仍在积极寻求解决方案以应对这些挑战。俄罗斯媒体爆料
若是评选全球最优秀的晶圆代工厂商，台积电和三星排第二，无人敢称第一，但由于三星在骁龙8 Gen 1出师不利，导致三星客户数及订单量不如台积电，也就是说，台积电是当前全球最大的晶圆代工厂。作为当前全球最大的晶圆代工厂商，台积电凭借着技术领先、
集成电路掺杂工艺
集成电路的制造过程中，掺杂是很重要的一步。最基本的IC工艺步骤如下：掺杂就在芯片工艺段里面，掺杂是什么意思，硅片本身载流子浓度很低，需要导电的话，就需要有空穴或者电子，因此引入其他三五族元素，诱导出更多的空穴和电子，形成P型或者N型半导体。掺杂定义：就是用人为的方法，将所需的杂质（如磷、硼等），以一
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