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半导体行业是一个充满神秘且奥妙的世界，每天都在创造产品或技术，让社会变得更加“智能且高效”，而行业内的“黑话”可以让很多电子工程师沟通更快，那么你知道这些黑话吗？1、Foundry：代工厂，专门负责制造芯片的工厂。2、TSMC：台积电，全球
概述Stratix III FPGA系列具有高密度高性能可编程逻辑器件中最低的功耗。Stratix III FPGA采用了TSMC的65nm工艺技术，其突破性创新包括硬件体系结构提升和Quartus II软件改进，与前一代Stratix I
Stratix V FPGA：为带宽而打造Stratix V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺进行制造，提供110万逻辑单元(LE)、53-Mbits嵌入式存储器、3,680个18x18乘法器，以及工作在业界最高速率28
Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交换能力，采用各种创新技术和前沿28-nm工艺，突破带宽瓶颈，降低了宽带应用的成本和功耗。Stratix V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺进行制造，提供110万逻辑
概述Stratix® V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺进行制造，提供110万逻辑单元(LE)、53-Mbits嵌入式存储器、3,680个18x18乘法器，以及工作在业界最高速率28 Gbps的集成收发器。器件还采用了
Stratix V 摘要Stratix® V FPGA具有1.6 Tbps串行交换能力，采用各种创新技术和前沿28-nm工艺，突破带宽瓶颈，降低了宽带应用的成本和功耗。Stratix V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺
概述Stratix® V采用TSMC高性能28nm HKMG工艺制造，该工艺提供的性能比其它28nm工艺高出35%，这使得它可提供速度最快、功效最高的收发器。这一工艺也使得Stratix V的系统总功耗比前一代Stratix IV低30%。
引言随着半导体产业的发展，互补场效应晶体管（CFET）技术在推进未来逻辑技术发展方面展现出显著优势。本文将介绍栅极间距达到48纳米的单片CFET反相器的首次实现，该器件展现出高达1.2伏特的优异电压传输特性[1]。图1展示了从基本反相器电路原理图到先进CFET架构的演进过程，显示了从传统互补金属氧化
