具有低功耗12.5 Gbps收发器，5SGSMD4E3H29I4G、5SGSMD4E2H29I2G、5SGSMD4E3H29C4G/FPGA参数-凡亿课堂

Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交换能力，采用各种创新技术和前沿28-nm工艺，突破带宽瓶颈，降低了宽带应用的成本和功耗。

Stratix V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺进行制造，提供110万逻辑单元(LE)、53-Mbits嵌入式存储器、3,680个18x18乘法器，以及工作在速率28 Gbps的集成收发器。器件还采用了业界最高级的专用硬核知识产权(IP)，提高了系统集成度和性能，而没有成本和功耗代价。该系列包括四种型号产品，满足了无线/固网通信、广播、计算机和存储、测试和医疗市场的多种应用需求。这些型号产品包括：

· Stratix V GT FPGA——业界唯一面向100G以上系统，集成28-Gbps收发器的FPGA。

· Stratix V GX FPGA——支持多种应用的600-Mbps至12.5-Gbps收发器。

· Stratix V GS FPGA——600-Mbps至12.5-Gbps收发器，适用于高性能数字信号处理(DSP)应用。

· Stratix V E FPGA——适用于ASIC原型开发和仿真以及高性能计算应用的高密度FPGA。

Stratix® V GS FPGA含有66个高性能、低功耗12.5 Gbps收发器。Stratix V FPGA支持多种3G、6G和10G协议以及电气标准，满足兼容性要求，例如，10G/40G/100G、Interlaken和PCI Express (PCIe) Gen 3、Gen2、Gen 1。该器件还支持与10G背板(10GBASE-KR)和光模块的直接链接。

参数

5SGSMD4E3H29I4G

LAB/CLB 数：135840

逻辑元件/单元数：360000

总 RAM 位数：19456000

I/O 数：360

电压 - 供电：0.82V ~ 0.88V

安装类型：表面贴装型

工作温度：-40°C ~ 100°C（TJ）

封装/外壳：780-BBGA，FCBGA

供应商器件封装：780-HBGA（33x33）

5SGSMD4E2H29I2G

LAB/CLB 数：135840

逻辑元件/单元数：360000

总 RAM 位数：19456000

I/O 数：360

电压 - 供电：0.87V ~ 0.93V

安装类型：表面贴装型

工作温度：-40°C ~ 100°C（TJ）

封装/外壳：780-BBGA，FCBGA

供应商器件封装：780-HBGA（33x33）

5SGSMD4E3H29C4G

LAB/CLB 数：135840

逻辑元件/单元数：360000

总 RAM 位数：19456000

I/O 数：360

电压 - 供电：0.82V ~ 0.88V

安装类型：表面贴装型

工作温度：0°C ~ 85°C（TJ）

封装/外壳：780-BBGA，FCBGA

供应商器件封装：780-HBGA（33x33）

Stratix V FPGA内核体系结构经优化提高了面积和逻辑效率以及系统性能，包括：

· 新的自适应逻辑模块(ALM)体系结构——在最大的器件中额外增加了800K寄存器，提高了逻辑效率。ALM体系结构适用于需要大量流水线和寄存器的设计。

· 含有M20K模块的增强嵌入式存储器结构——提高了面积效率，性能更好。

· 业界第一款精度可调DSP模块——实现了效率最高、性能最好的多精度DSP数据通路。

· 用户友好的部分重新配置功能——设计人员可以重新配置部分FPGA，而其他部分仍然正常运行。

Stratix V FPGA在所有FPGA中实现了集成度最高的硬核IP，提高了器件性能，没有功耗或者成本代价。器件增强功能包括PCIe Gen3, Gen2, Gen1、40G/100G以太网、CPRI/OBSAI、Interlaken、Serial RapidIO (SRIO) 2.0和万兆以太网(GbE) 10GBASE-R。增强了读/写通路的存储器接口包括DDR3、RLDRAM II和QDR II+。

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