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据外媒报道，俄罗斯已制定全新的半导体芯片替代计划，希望能在2030年前实现28nm工艺的芯片设计及制造。
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纵观俄罗斯的历史，不难发现俄罗斯不重视半导体这块领域，季度缺乏自主芯片，90%的芯片都是依靠进口来，且本国国内最大的芯片商只有65nm芯片的制造水平，要知道我国早已实现28nm工艺和14nm工艺成熟制程，争取向7nm工艺前进，可以说俄罗斯的半导体水平比中国落后十几年。
这个计划在俄乌战争前就已经提出并形成初步版本，它涉及到俄罗斯半导体产业的多方面，从芯片设计到芯片制造，从半导体工人到半导体精英，同时争取在2030年前投资3.19万亿卢布（约2464亿人民币），促进28nm工艺的全面国产化，尽力减少欧美国家带来的技术禁锢。
据悉，该计划主要分为三部分，一是芯片设计及制造，二是市场需求，三是人才培养。具体如下：
在芯片设计上，俄罗斯将耗资1.14万亿卢布，计划在2024年实现所有领域的100%全面国产化，2030年前形成本国的技术产品组合。为实现这个目标，俄罗斯将启动重新设计国外开发的芯片项目，并同时放弃在欧美国家的生产，将生产转移到俄罗斯及中国。
在芯片制造上，俄罗斯预计投资4600亿卢布，今年欲生产90nm工艺的芯片，争取在2030年掌握28nm工艺生产。
在市场需求上，俄罗斯预算中的1.28万亿卢布将用于提高市场需求，力争让俄罗斯每个家庭里的俄罗斯自主制造的电子产品覆盖率达到30%，公共采购市场达到100%。
在人才培养上，俄罗斯将砸3090亿卢布，计划创建400个电子产品原型，开展估算2000多个研究项目，培养大学生的转化率从5%提高到35%，除此之外，还要培育1000个已研究中心为基础的项目团队。
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