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W25Q32JW/W25Q32JV（32M位）串行闪存为空间、针脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双通道/四通道SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。
功能框图：
一，W25Q32JV 3V 32M位串行闪存，具有双通道、四通道SPI
W25Q32JV（32M位）串行闪存阵列分为16，384个可编程页面，每个页面256字节。一次最多可编程256个字节。页面可以以16个为一组（4KB扇区擦除）、128个为一组（32KB块擦除）、256组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q32JV分别具有1，0 24个可擦除扇区和64个可擦除块。4KB小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。
W25Q32JVUUIQ SPIFLASH, 3V, 32M-BIT, 4KB UNIFO
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR（SLC）
存储容量：32Mb
存储器组织：4M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O，QPI
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：3ms
访问时间：6 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-USON（4x3）
二、W25Q32JW 1.8V 32M位串行闪存，具有双通道、四通道SPI
W25Q32JW (32M-bit) 串行闪存阵列分为16，384个可编程页面，每个页面256字节。一次最多可编程256个字节。页面可以以16个为一组（4KB扇区擦除）、128个为一组（32KB块擦除）、256组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q32JW分别具有1，0 24个可擦除扇区和64个可擦除块。4KB小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。该器件采用1.7V至1.95V电源供电，关断模式下功耗低至0.1µA。
W25Q32JWSSIQ存储器IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：32Mb
存储器组织：4M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：5ms
电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
