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采用小型封装、RGWX5TS65DGC11、RGWX5TS65GC11 650V场终止沟槽型IGBT

2023-09-20 16:20
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一、简介

RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装,具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。

二、特性

低集极-射极饱和电压

高速转换

低开关损耗和软开关

内置超快速软恢复FRD

引脚无铅电镀

符合RoHS指令

三、规格

1、RGWX5TS65DGC11 IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):132 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,75A

功率 - 最大值:348 W

开关能量:2.39mJ(开),1.68mJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:213 nC

25°C 时 Td(开/关)值:64ns/229ns

测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr):101 ns

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3


2、RGWX5TS65GC11 650V 沟槽型场截止IGBT TO-247N

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):132 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,75A

功率 - 最大值:348 W

开关能量:-

输入类型:标准

栅极电荷:213 nC

25°C 时 Td(开/关)值:64ns/229ns

测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247N

基本产品编号:RGWX5TS65

四。引脚封装

封装.png

五、典型应用

太阳能逆变器

UPS

焊接

IH

功率因数校正

注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!

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