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对于电子工程师而言，晶体和晶振是电路中不可或缺的关键元件，尤其在涉及到时钟信号和同步操作时。虽然两者在功能上有着相似之处，但在实际应用、电路设计以及布局布线等方面却存在着显著的区别。本文将详细对比晶体和晶振的属性、特点及应用场景，并为大家提
随着芯片制造工艺的不断进步，单个芯片的晶体管数量持续增长，从数万级别到今天的数百亿级别，虽然后面会迎来万亿级芯片时代。长期以来，提高晶体管密度抑制是实现大规模集成电路的主要途径，厂商及工程师的关注点也是以芯片制程的升级为主。但随着工艺邻近物
激光退火
随着超大规模集成电路制造技术、新型薄膜晶体管显示技术和大面积OLED显示技术的日益成熟和规模化，激光退火技术逐渐取代传统的炉管退火、快速热退火、尖峰退火、快闪退火，成为新一代主流退火技术。 自从1975年前苏联科学家Gerasi-menko开始研究激光退火以来，此后若干年里，研究者对激光退火机
NAND闪存
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)
虽然市场上仅有苹果的A17 Pro芯片用上了台积电的3nm工艺，但台积电的雄心远不止于此，不仅在明年全面铺开N3E工艺，还要筹备更高的制程工艺，如2nm，甚至1nm。据外媒tomshardware报道，台积电近日在IEDM大会上发布了最新的
回答网友的问题：逻辑电路设计规则里gate width方向的尺寸一般要求远比feature size大，比如28nm的gate width最小也是100nm，间隔也最小80nm，这是出于什么考虑呢？有没有可能跟DRAM工艺那样，也压到fea
在电子元件中，金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是独特且重要，然而相比其他元件，MOS管很容易失效，导致电路无法正常运行，因此工程师必须查找原因并解决问题。1、MOS管为什么很容易失效？①静电放电（ESD）MOS管的输入阻抗极高，使
前两天，看到交流群里讨论了关于“TTL、RS232、485传输距离”的问题。今天特意抽出时间分享一下相关内容，希望能对大家有所帮助。概述可能很多人还都不太了解TTL、RS232、485，下面就简单概述一下它们分别是什么。1、TTL电平TTL
晶体管是现代电子电路中的核心元件，其工作状态对电路的性能起着决定性的影响，根据其工作状态，晶体管可分为截止区、放大区和饱和区，那么你知道他们的工作机制和区别吗？下面一起随凡小亿来看看吧！1、截止区此时晶体管处于关闭状态，集电极和发射极之间没
经常有很多电子初学者会将晶体管和继电器混为一谈，甚至在很多电路布局布线摆放，但这样也带来了很多问题，其中之一是“晶体管和继电器的输出PLC是否相同？”下面将谈谈这个问题。1、过载能力：晶体管：通常具有较好的过载能力。在短时间内承受超过其额定
