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回答网友的问题：逻辑电路设计规则里gate width方向的尺寸一般要求远比feature size大，比如28nm的gate width最小也是100nm，间隔也最小80nm，这是出于什么考虑呢？有没有可能跟DRAM工艺那样，也压到feature附近的尺寸呢？
逻辑电路设计中，Gate width (指的是晶体管沟道的宽度)相比feature size (指的是制程节点，例如28nm)较大的原因涉及几个方面：
1. 工艺设计规则（Design Rule Checking，DRC）: 电路设计必须遵循特定制程的工艺设计规则。这些规则由芯片制造商根据其工艺能力和可靠性数据定义。设计规则确保了电路元件之间有足够的间隔，以避免电气故障，并确保生产过程中的可重复性和高良品率。
2. 电气性能：更大的Gate width可以提供更高的驱动电流能力，对于负载电容较大的线路来说，它可以提高信号传输速度，以及改善电路的开关速度。
3. 可靠性：较大的设计尺寸可以提高设备在多种工艺条件下的健壮性和可靠性，降低由于工艺变化造成的性能分散，如阈值电压(Vt)变化和漏电流。
4. 热管理：随着逻辑电路的微缩，热密度会上升。如果没有充足的间隔和尺寸大小来分散热量，可能会导致过热问题。
5. 构造复杂度：逻辑电路设计往往要考虑到晶体管之间以及晶体管和其他部分（如铜线层）的互连与布局。在有限空间内容纳大量的晶体管和互连，确定合适的尺寸非常关键。
至于将gate width压缩到feature size附近，如同在动态随机存取存储器（DRAM）中的做法，存在下列挑战：
工艺挑战：制造逻辑电路时，晶体管的门控结构、源漏区与沟道之间的工艺复杂度远高于存储器单元。制造密度更高的逻辑电路，要求制造工艺能够在极小特征尺寸下保持电路的完整性和性能。
设计挑战：晶体管的门尺寸是影响器件性能的核心参数，与DRAM相比，逻辑电路的性能要求更严格，包括速度、功耗和噪声容忍度等指标。
成本考虑：逼近物理极限会增加设计和制造的复杂度和成本。压缩设计尺寸可能要求使用更先进的光刻技术，比如极紫外光（EUV）光刻，这将显著增加成本。
漏电流和可靠性：随着gate width的减小，在一定程度上会增加短道效应，造成漏电流增加，从而影响器件的能效和可靠性。
尽管有诸多挑战，工艺技术仍在不断发展。例如，采用FinFET（鳍式场效应晶体管）和GAAFET（栅全包围晶体管）等3D晶体管技术可以在更小的feature size下构造逻辑电路。然而，即使如此，gate width仍受限于上述因素，不太可能像DRAM单元那样被压缩到feature size附近。
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