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步入21世纪后，随着对高压、大电流、高效率及快速开关特性的需求日益增长，传统MOS功率器件已经难以满足很多应用场景的要求，因此，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电路应运而生，成为该问题的解决方案，那么我们为什么需要它？
1、降低导通电阻
IGBT结合了功率MOS和双极结型晶体管的优点，通过双极结型结构产生的少数载流子注入效应，实现了对n-漂移区电导率的调制（即电导调制效应），显著降低了器件的导通电阻，提高了能量转换效率。
2、高压大电流能力
传统MOS功率器件在追求高压时往往面临工作电流减小的难题。IGBT通过优化结构设计，如采用垂直结构（如VDMOS的改进版），有效平衡了高压与大电流的需求，适用于高功率密度应用。
3、快速开关特性
IGBT的栅极由绝缘材料隔离，允许使用高阻抗栅极驱动电路，从而实现了快速的开关动作，减少了开关过程中的能量损耗，提高了系统的动态响应速度。
4、热稳定性与可靠性
IGBT结构的设计使其具有较高的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下长时间稳定运行，满足了电力电子系统对长期可靠性的严格要求。
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