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虽然市场上仅有苹果的A17 Pro芯片用上了台积电的3nm工艺，但台积电的雄心远不止于此，不仅在明年全面铺开N3E工艺，还要筹备更高的制程工艺，如2nm，甚至1nm。
据外媒tomshardware报道，台积电近日在IEDM大会上发布了最新的路线图，并公布计划在2030年推出1nm级的A10制程，实现单个芯片上集成2000亿个晶体管，并依托于先进封装技术，实现单个封装上集成1万亿个晶体管的目标。
由图可知：台积电首先将在2025年量产2nm的N2制程，然后在2026年左右量产N2P制程，届时将采用新的通道材料、EUV、金属氧化物ESL、自对齐线w/Flexible Space、低损伤/硬化Low-K&新型铜填充等技术。最后实现单颗芯片集成超过1000亿个晶体管，同时借助先进的3D封装技术，实现单个封装集成超过5000个晶体管。
在2027年后，台积电将量产1.4nm级的A14制程，最终在2030年量产1nm的A10制程，实现单芯片集成度超过2000亿个晶体管，借助D封装技术，实现单个封装内集成超过1万亿个晶体管。
