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晶体管和三极管之间有着密切的联系，但它们并不是完全相同的概念。定义：晶体管是一个广泛的术语，指的是以半导体材料为基础的电子器件，具有放大和开关功能。晶体管可以分为多种类型，包括双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）等。三极管是一种特定
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）作为电子设备中不可或缺的电子元器件，电子工程师需要判断其方向，保证后续的电路设计及维修，下面将谈谈如何判断，以此提供实用的技术指导。1、MOS管方向的基本判断规则寄生二极管方向判断：对于N沟道MOS管
场效应晶体管（Field-effect Transistor，简称FET）作为一种关键的电子元器件，在现代电子电路中扮演着举足轻重的角色。重点学习场效应晶体管是很有必要的。1、场效应晶体管是什么？场效应晶体管是一种通过电场效应控制电流的电子
全控型器件——电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称电力MOSFET（Power MOSFET）。电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，它的特点有：驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工
IGBT关断过程分析
IGBT关断过程的分析上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOS
引言随着半导体产业的发展，互补场效应晶体管（CFET）技术在推进未来逻辑技术发展方面展现出显著优势。本文将介绍栅极间距达到48纳米的单片CFET反相器的首次实现，该器件展现出高达1.2伏特的优异电压传输特性[1]。图1展示了从基本反相器电路原理图到先进CFET架构的演进过程，显示了从传统互补金属氧化
