扫码关注
找到 “半导体开关” 相关内容 条
- 全部
- 默认排序
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超
328 0 0
随着电子科技的不断进步，无论是在消费电子、工业自动化或是汽车、医疗、航空航天等各个领域，都在追求更高的功率密度，以满足逐渐提升的电源需求。电源的发展必然是朝着小体积高效率方面演进，提高工作频率是必然趋式。半导体开关器件是开关电源的核心器件，它是实现电源功率转换的必要器件，20多年来，功率金属氧化物半
335 0 0
