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半桥式开关电源
我们之前介绍了反激式开关电源和正激式开关电源的一些知识，接下来我们来说一下半桥式开关电源。 半桥式开关电源的主要特征是有两个功率开关器件，我们一般采用MOS管，这两个功率器件以图腾柱的形式连接，然后以功率器件连接的中心点作为输出，向后级电路提供方波信号，下图为简易的半桥式开关电源结构图：
随着电子科技的不断进步，无论是在消费电子、工业自动化或是汽车、医疗、航空航天等各个领域，都在追求更高的功率密度，以满足逐渐提升的电源需求。电源的发展必然是朝着小体积高效率方面演进，提高工作频率是必然趋式。半导体开关器件是开关电源的核心器件，它是实现电源功率转换的必要器件，20多年来，功率金属氧化物半
在电子产品的设计与制造中，散热性能是评估PCB板性能优劣的关键因素之一。随着电子设备集成度的不断提升，功率器件产生的热量也随之增加，如何有效散热成为了工程师们亟待解决的问题。在众多PCB板中，铝基板以综合散热能力最强的PCB闻名于世，成为高
功率pcb设计要点总结
功率PCB设计是确保电子设备高效、稳定运行的关键环节。以下是对功率PCB设计要点的详细整理：1. 热设计功率器件在工作时会产生大量热量，因此热管理是功率PCB设计的首要任务。散热设计：设计合适的散热结构，如散热片、热导管等，以提高热量的传导
GaN的欧姆接触实验
GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触，也可以形成非整流的接触，即欧姆接触。欧姆接触不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。室温下n-GaN的电子亲和势为
随着新能源市场的爆发，电动汽车，光伏、储能等下游应用驱动下，碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiCMOSFET的大规模应用后，在近几年可以看到，国内外各大厂商都密集地加入到SiC的行列中，推出相关产品。国内规模比较大的有华
1、ISZ113N10NM5LFATMA1OptiMOS™ 5线性FETISZ113N10NM5LF OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDS
功率模块Ⅲ ——底板
前面我们聊了功率模块的绝缘衬底以及其表面金属化的那些事，希望对你们来说有些作用。今天我们继续来聊聊最底层的那块——功率模块的底板......底板作为绝缘沉底的机械支撑，一是吸收功率器件内部产生的热量，二来要将热量传递出去，必须具有较高的热导率才能有效地传递热量。并且需要具有较低的表面粗糙度，能与绝缘
功率器件分类&封装
话说又是好几天没更新了，实在罪过。最近感觉不知道写啥好了，这几天我会理理清楚的。今天，我们简单地聊一聊功率器件的封装技术，顺便也再重复性地对功率器件做个介绍~01功率半导体器件功率半导体器件，也就是我们说的电力电子器件，是一种广泛用于电力电子装置的电能变换和控制电路方面的半导体元件。电力电子装置的基
