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在日常的电源设计中,半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题,本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制,以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示:PN结正向导通,反向截止;反向电压超过一定限值VBR,器件发生电击穿;正向导通时,电流超
随着电子科技的不断进步,无论是在消费电子、工业自动化或是汽车、医疗、航空航天等各个领域,都在追求更高的功率密度,以满足逐渐提升的电源需求。电源的发展必然是朝着小体积高效率方面演进,提高工作频率是必然趋式。半导体开关器件是开关电源的核心器件,它是实现电源功率转换的必要器件,20多年来,功率金属氧化物半
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