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功率作为电子工业的基本概念之一,也是许多电子设备的基础单位之一,可以说是代表了电子设备的性能好坏,而且大功率器件在电子电路中热量高,所需电压电流大,易影响到电路正常运行。小功率器件因所需电压电流小,也要避免过充损坏,所以功率检测是很有必要的

技术干货:盘点这些常见的功率检测方法

在制造高频功率器件时,通常会遇到击穿电压与集电极串联电阻对集电极材料电阻率要求矛盾的问题,这种情况下通过外延技术可以很好解决这类问题,那么很多人就好奇外延技术到底是什么?今天我们来谈谈外延。在单晶硅衬底上沿着原来的结晶轴方向延伸生长一层导电

半导体制造工艺技术手册:外延

功率半导体器件在工业、消费、军事等领域都有着广泛应用,具有很高的战略地位。功率半导体产品可以分为功率器件、电源管理 IC 和功率模组三大类。图:功率半导体产品分类来源:国金证券研究所随着下游电气化程度不断增加,功率半导体需求提升,器件应用范

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华秋 2022-11-11 11:45:30
功率半导体领域国产替代加速,华秋和MDD达成合作

峰值电流模式控制方式在占空比大于50%的时候,系统容易进入不稳定的工作状态:次谐波震荡,就是功率器件的开关波形发生宽脉冲和窄脉冲交替出现的状态,特别是在电感较小情况下,这种现象更容易发生。次谐波震荡导致输出电压纹波突然增加,系统的动态响应变差。 1、次谐波震荡产生原因 BUCK变换器采用峰值电流模式

峰值电流模式次谐波震荡及斜坡补偿

1、IKW30N65EL5XKSA1(650V)TRENCHSTOP™ 5 L5(低饱和5)IGBT处于开关频率范围的另一端,优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能。针对50Hz至20kHz的低开关频率范围对L5进行了专门优化。L

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明佳达电子Mandy 2023-08-09 15:30:59
650V(IGBT)IKW30N65EL5XKSA1、IKW40N65H5FKSA1功率器件概述、技术参数、引脚图

话说又是好几天没更新了,实在罪过。最近感觉不知道写啥好了,这几天我会理理清楚的。今天,我们简单地聊一聊功率器件的封装技术,顺便也再重复性地对功率器件做个介绍~01功率半导体器件功率半导体器件,也就是我们说的电力电子器件,是一种广泛用于电力电子装置的电能变换和控制电路方面的半导体元件。电力电子装置的基

功率器件分类&封装

前面我们聊了功率模块的绝缘衬底以及其表面金属化的那些事,希望对你们来说有些作用。今天我们继续来聊聊最底层的那块——功率模块的底板......底板作为绝缘沉底的机械支撑,一是吸收功率器件内部产生的热量,二来要将热量传递出去,必须具有较高的热导率才能有效地传递热量。并且需要具有较低的表面粗糙度,能与绝缘

功率模块Ⅲ ——底板

1、ISZ113N10NM5LFATMA1OptiMOS™ 5线性FETISZ113N10NM5LF OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDS

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明佳达电子Mandy 2024-01-08 16:35:18
【功率器件】ISZ113N10NM5LFATMA1 100V、11.3mΩ,ISK018NE1LM7AULA1 15V、1.8mΩ N通道功率MOSFET

随着新能源市场的爆发,电动汽车,光伏、储能等下游应用驱动下,碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiCMOSFET的大规模应用后,在近几年可以看到,国内外各大厂商都密集地加入到SiC的行列中,推出相关产品。国内规模比较大的有华

推动SiCMOSFET国产化,华秋获“芯塔电子”优秀媒体合作伙伴奖

GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触,也可以形成非整流的接触,即欧姆接触。欧姆接触不产生明显的附加阻抗,而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。室温下n-GaN的电子亲和势为

GaN的欧姆接触实验