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在制造高频功率器件时，通常会遇到击穿电压与集电极串联电阻对集电极材料电阻率要求矛盾的问题，这种情况下通过外延技术可以很好解决这类问题，那么很多人就好奇外延技术到底是什么？今天我们来谈谈外延。在单晶硅衬底上沿着原来的结晶轴方向延伸生长一层导电
外延工艺作为常见的半导体器件制造工艺，一直以来是企业组织大力发展的重点，自然也成为电子工程师需要了解的基础知识，所以本文将谈谈外延工艺、质量和检验技术。外延系统和工艺过程：外延系统装置包括气体分配及控制系统、加热和测温装置、反应室、废气处理
1 •外延的命令epitaxy，参数及其说明如下：1.1外延的例子1.3光刻仿真•OPTOLITH模块可对成像(imaging)，光刻胶曝光(exposure)，光刻胶烘烤（bake）和光刻胶显影（development）等工艺进行精确定义••OPTOLITH提供光阻的库及其光学性质和显影时的特性（
随着无线通信技术的飞速发展，以中国移动、中国电信、中国联通为首的运营商，正在积极向外延伸其5G业务，其中中国移动近期搞出了大事，创先研发首颗5G蜂窝物联网通信芯片。据媒体报道，中国移动旗下芯片公司中移芯昇发布了其首颗5G Redcap蜂窝物
高功率二极管ＬＤ失效特性
LD具有高转换效率，体积小，可靠性高等特点被广泛应用，但是高功率LD芯片制造工艺复杂，价格贵，外延、芯片、封装等的缺陷影响着器件的成品率。 激光器的失效模式1 主要失效特性LD失效的三个时间段： 早期失效、偶然失效、损耗失效早期失效的原因：芯片制造工艺缺陷、焊接失效、芯片端面绝缘层失效。损耗失
一、Laser Die 及其制备激光器芯片根据材料体系有GaN基蓝光系列、砷化镓、磷化铟等组合起来的三元或者四元体系。每一种体系由于其最优的外延基板不同，P、N面打金线方向不同，有正负极同向、有反向。激光芯片根据使用范围主要有大功率应用的可见光、通讯用的红外光，还有医疗美容用的800~980n
晶格常数、应变和临界厚度
外延是激光芯片、LED芯片以及其他化合物芯片的关键，没有好的外延，后续的努力都很被动。而如何长出高质量的外延，生产常用的MOCVD设备，这是一种化合物在衬底表面成膜的工艺设备，其中牵涉有机化学、络合反应等等，其中选用和外延晶格匹配的衬底很是关键。就需要讨论晶格常数，常见的外延都是和衬底的晶格常数相当
激光器的外延层设计是半导体激光器性能优化的核心环节，需综合考虑材料选择、能带结构、光学限制、载流子限制等因素。例如一个典型外延层结构（以边发射InGaAsP/InP激光器为例）从衬底向上依次生长：衬底（Substrate）：如InP（用于长波长）、GaAs（用于短波长）。缓冲层（Buf
