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1、ISZ113N10NM5LFATMA1 OptiMOS™ 5线性FET
ISZ113N10NM5LF OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDSON-8FL封装，工作温度范围为-55°C至175°C。
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2300 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），100W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TSDSON-8 FL
封装/外壳：8-PowerTDFN
应用：
• 热插拔
• 电池保护
• 电子保险丝
• 以太网供电 (PoE) 应用中的软启动 (ISZ113N10NM5LF)
特点：
极低导通电阻RDS(on)
宽安全工作区 (SOA)
N沟道，正常电平
100%经雪崩测试
无铅电镀，符合RoHS指令
无卤素，符合IEC61249-2-21标准
2、ISK018NE1LM7AULA1 OptiMOS™ 7功率MOSFET 15V、PG-VSON-6-1
该器件采用功率MOSFET技术，具有15V创新、无引线、可靠的功率封装。OptiMOS 7在低导通电阻下具有高功率密度和高能效。同时可降低开关损耗，提高SOA 耐用性和高雪崩电流能力，有助于汽车应用的高效系统设计。
应用：
• 开关模式电源 (SMPS)
• 服务器
• 数据通信
• 人工智能
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Ta），129A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，7V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 20A，7V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 106µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：13.6 nC @ 7 V
Vgs（最大值）：±7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 7.5 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），39W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-VSON-6-1
封装/外壳：6-PowerVDFN
注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
