扫码关注
- 全部
- 默认排序
智能手机电池包PCM通常使用功率MOSFET作充放电管理，功率MOSFET的工作的温度是非常重要的一个性能指明标，AOCR38232和器件2都是针对这个应用的二个功率MOSFET，其中，AOCR38232顶部材料为硅，器件2顶部材料为金属，如图1所示，相关参数如表1所示。表1：功率MOSFET参数
在高频通信、雷达和高功率开关电源等前沿领域，高电子迁移率晶体管（High-Electron-Mobility Transistor， HEMT）凭借其卓越的性能，已成为不可或缺的核心器件。然而，HEMT结构的特殊性使其本身存在着电、热性能间的强烈博弈，制约着器件频率与功率的进一步发展。高功率工况下，
随着功率电子技术的广泛应用，栅极驱动器作为半导体功率开关器件（如MOSFET、IGBT等）的关键驱动控制模块，发挥着重要作用。它的核心功能是将低电平控制信号转换成能够快速驱动功率器件栅极的高电平信号，从而实现开关器件的高效开关控制。什么是栅
最近在工程师群里看到一条求助消息：某电源模块项目量产没多久，就开始批量返修，故障率高达8%。拆板一看，PCB局部已经焦黄发黑，功率器件引脚的焊点都出现裂纹了。一查原因，这位工程师的第一反应是："肯定是铜厚不够，下次改板加到4oz。"听到这句
2026年3月，全球功率半导体产业迎来历史性转折点。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，在8英寸量产、大尺寸衬底技术及垂直应用领域实现全面突破，正在重塑从新能源汽车、光伏储能到AI算力的全产业格局。据行业预测，全球
晶体闸流管是一种重要的半导体功率器件，因此被广泛应用于电力电子控制、电机调速、变频装置和电力保护系统中。下面就简单了解一下它吧！一、晶体闸流管的外观特征晶体闸流管通常封装在坚固的塑料或金属外壳内，以保证其耐热和耐电气压力能力。其主要结构包括
上个月有个做电源的朋友找我，说他设计的 Buck 电路老是炸机，MOSFET 换了好几批还是一样。我让他把 PCB 发过来看看，一眼就看出问题了——散热铜皮画得太"秀气"，热过孔也没打几个。说实话，这种事我见过太多了。很多工程师画板子的时候
