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在高频通信、雷达和高功率开关电源等前沿领域,高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)凭借其卓越的性能,已成为不可或缺的核心器件。然而,HEMT结构的特殊性使其本身存在着电、热性能间的强烈博弈,制约着器件频率与功率的进一步发展。高功率工况下,
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