扫码关注
- 全部
- 默认排序
功率MOSFET的数据表中，通常列出了包括单脉冲雪崩能量EAS、单脉冲雪崩电流IAS、重复脉冲雪崩能量EAR、重复脉冲雪崩电流IAR等参数，许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对系统的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑
同步BUCK降压变换器的基本结构包括PWM控制器、主开关管（上管，功率MOSFET）和续流管（下管，功率MOSFET）、以及输出电感和滤波电容。通常，PWM控制器内部带有直接驱动功率MOSFET的输出图腾柱，从而简化系统设计，如图1所示。 输出负载电流较小时，将2个功率MOSFET集成到IC内部，进
1、MOS管简介功率MOSFET是电压型驱动器件，输入阻抗高，因而开关速度可以很高。功率MOS管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流，MOS管的开关速
1、ISZ113N10NM5LFATMA1OptiMOS™ 5线性FETISZ113N10NM5LF OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDS
器件说明NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPA
一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)（功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM)）。该MOSFE
1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。也许，今天的便携式电
1、MOS管简介功率MOSFET是电压型驱动器件，输入阻抗高，因而开关速度可以很高。功率MOS管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流，MOS管的开关速度与驱动源内阻抗有关，开关速度不同影响其实际损耗。比较常用的
