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一、概述
1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)（功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM)）。该MOSFET采用3.3x3.3mm扁平引线封装，专为紧凑高效设计而设计，具有高散热性能。
2、NTTFS005N04CTAG N沟道MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的40V MOSFET。该器件采用扁平引线封装，专为紧凑高效设计而设计，具有高散热性能。
二、技术参数
1、NTTFS6H860NLTAG： MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8，1A（Ta），30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：610 pF @ 40 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），42W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN
基本产品编号：NTTFS6
2、NTTFS005N04CTAG ： MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），69A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.6 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），50W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN
基本产品编号：NTTFS005
三、封装
