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1、SCTH100N65G2-7AG SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
主要功能：
符合AEC-Q101标准
非常快速和鲁棒的本征体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
用于提高效率的源极感应引脚
技术参数：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：162 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3315 pF @ 520 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：360W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：H2PAK-7
封装/外壳：TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
基本产品编号：SCTH100
2、SCT060HU75G3AG 汽车级碳化硅功率MOSFET 750V、58 mOhm、30A、HU3PAK封装
汽车级碳化硅功率MOSFET采用ST先进的创新第二/第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。 该器件具有单位面积导通电阻低、开关性能好等特点。 这些MOSFET具有非常高的工作温度能力（TJ = 200°°C），以及非常快速而坚固的本征体二极管。
技术参数：
FET 类型：N 通道
技术：SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）：750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：78mOhm @ 15A, 18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：4.2V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：680 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：185W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：HU3PAK
封装/外壳：TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
3、应用：
•主逆变器（电力牵引）
•用于EV/HEV的DC/DC转换器
•车载充电器（OBC）
注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
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