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器件说明
NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。
应用
反向器蓄电池保护
开关电源
电源开关-高端驱动器、低端驱动器、H桥
特征描述
占地面积小（5x6mm）
低RDS（开启）
低QG和电容
LFPAK4封装，工业标准
通过AEC−Q101认证并具备PPAP能力
这些器件无铅且符合RoHS规范
器件选型
1、NVMYS011N04CTWG 功率 MOSFET，40 V，12 mΩ，35 A，单 N 沟道
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：7.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：420 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），28W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：LFPAK4（5x6）
封装/外壳：SOT-1023，4-LFPAK
基本产品编号：NVMYS011
2、NVMYS4D1N06CLTWG 功率 MOSFET，60 V, 4.0 mOhms, 100 A,，单 N 沟道
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2200 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），79W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：LFPAK4（5x6）
封装/外壳：SOT-1023，4-LFPAK
基本产品编号：NVMYS4
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