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概述EiceDRIVER™增强型X3模拟系列通过外部电阻器（ADJA和ADJB引脚）实现DESAT（可调滤波器时间）和软关闭（可调电流）的配置能力。英飞凌1ED34xx单通道隔离式驱动器具有高达9A输出电流和最大40V输出电源电压，采用节省
在电子元件中，金属-氧化物半导体场效应晶体管（mos管）是独特且重要，然而相比其他元件，mos管很容易失效，导致电路无法正常运行，因此工程师必须查找原因并解决问题。1、mos管为什么很容易失效？①静电放电（ESD）mos管的输入阻抗极高，使
随着新能源市场的爆发，电动汽车，光伏、储能等下游应用驱动下，碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiCmosFET的大规模应用后，在近几年可以看到，国内外各大厂商都密集地加入到SiC的行列中，推出相关产品。国内规模比较大的有华
器件说明NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 mosFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 mosFET，符合生产件批准程序 (PPA
一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率mosFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)（功率转换应用中使用的mosFET的关键品质因数 (FOM)）。该mosFE
1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率mosFET器件采用先进创新的第二代SiC mosFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的
晶体管是现代电子电路中的核心元件，其工作状态对电路的性能起着决定性的影响，根据其工作状态，晶体管可分为截止区、放大区和饱和区，那么你知道他们的工作机制和区别吗？下面一起随凡小亿来看看吧！1、截止区此时晶体管处于关闭状态，集电极和发射极之间没
HL型栅极驱动器（High Level Gate Driver）是一种用于驱动功率半导体器件（如mosFET和IGBT）的电路。它的主要功能是在输入信号的高低电平之间提供适当的电压和电流，以控制功率半导体器件的导通和截止。HL型栅极驱动器通
电路解析：当I/O为高电平时，三极管导通，mos管栅极被拉低，1.8V电源导通；当I/O为低电平时，三极管不导通，mos管不导通，1.8V电源不导通。为什么要这样做呢？这个和三极管和mos的特性有很大关系：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化；mos管是电压控制电流器件，用
Cmos全称是Complementary Metal-Oxide-Semiconductor。中文学名为互补金属氧化物半导体。 在计算机领域，Cmos常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的芯片。有时人们会把Cmos和BIOS混称，其实Cmos是主板上的一块可读写的并行或串行
