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产品概述
CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。
规格信息
1、参数：IMW120R007M1H （IMW120R007M1HXKSA1）
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：225A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.9 毫欧 @ 108A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：220 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9170 nF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：750W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
封装/外壳：TO-247-3
2、参数：IMZ120R140M1HXKSA1 （IMZ120R140M1H）
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：182 毫欧 @ 6A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：13 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：454 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：94W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-4-1
封装/外壳：TO-247-4
基本产品编号：IMZ120
应用领域
不间断电源（UPS）
电池化成
电动汽车快速充电
电机控制和驱动
太阳能系统解决方案
注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
