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金刻蚀
工作中有很多日常琐事，工艺也有很多类似的异常问题。芯片工艺很多都是看不见，摸不清楚的，只能靠直觉了。 今天碰到一个有趣的金腐蚀问题。以前用的金腐蚀液15s可以吃掉100埃的金，时隔5个月，剩余的金腐蚀液竟然吃不动金了。怀疑过期了？ 保质期写的半年，还有一个月呢。没办法，自己配KI
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LD芯片的工艺制作流程
脊型GaAs基LD激光芯片工艺过程：这个流程算是LD最基础的流程，第一步做Mesa台阶，第二步做SiO2阻挡层，第三步做P电极、第四步做减薄、抛光；第五步做N电极。然后就是切片、测试、封装。但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要
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要通过设计优化提高激光芯片（如VCSEL、DFB激光模块）的阈值电流，可以从以下几个方面入手：材料和结构参数优化：对于硅基DFB激光器，可以通过调整脊宽、刻蚀深度、光栅厚度和光栅位置等结构参数来优化其整体性能，从而降低阈值电流。例如，通过这些参数的优化，可以实现最佳的DFB激光器，其阈值电流可以低至
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当摩尔定律放缓，3D芯片堆叠成为延续性能跃升的关键路径。这项技术如何实现“芯片叠罗汉”？答案藏在硅通孔、微凸点与热管理创新中。一、核心工艺：TSV技术穿透硅层硅通孔（TSV）刻蚀深反应离子刻蚀（DRIE）在硅片上打出微米级孔洞，纵横比可达1
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