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当摩尔定律放缓，3D芯片堆叠成为延续性能跃升的关键路径。这项技术如何实现“芯片叠罗汉”？答案藏在硅通孔、微凸点与热管理创新中。
一、核心工艺：TSV技术穿透硅层
硅通孔（TSV）刻蚀
深反应离子刻蚀（DRIE）在硅片上打出微米级孔洞，纵横比可达100:1。
绝缘层沉积（SiO₂/Si₃N₄）与阻挡层（TiN/TaN）确保电气隔离。
金属填充
电镀铜实现“自下而上”填充，避免空洞，CMP抛光暴露背面铜柱。
二、互连技术：微凸点与混合键合
微凸点（Micro-bumps）
铜/锡微球实现芯片间毫米级连接，密度达每平方毫米数百个。
混合键合（Hybrid Bonding）
金属-金属直接键合，无焊料设计，电阻降低50%，信号完整性提升。
三、散热设计：垂直堆叠的热管理
高导热通路
铜填充TSV构建垂直导热通道，热量通过多层芯片快速传导至散热器。
微流道冷却
硅衬底内刻蚀微流道，液体冷却直接接触热点，散热效率提升3倍。
四、应用场景：从AI到数据中心
异构集成：逻辑芯片（CPU/GPU）与存储（HBM）垂直堆叠，数据传输延迟降低80%。
性能密度：AMD 3D V-Cache技术通过7层堆叠，缓存容量提升3倍。
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