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稳压二极管伏安特性

稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管。如图画出了稳压管的伏安特性及其符号。稳压管的主要参数如下： (1)稳定电压Uz Uz就是PN结的击穿电压，它随工作电流和温度的不同而略有变化。对于同一型号的稳压管来说，稳压值有一定的离散性。 (2)稳定电流Iz 稳压管工作时的参考电流值。它通常有一定的范围，即Izmin——Izma

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稳压二极管

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不懂MOS晶体管的电容特性？来看这（上）

MOS晶体管在电子电路中是非常关键的电子部件，也是小白初学集成电路设计的重点内容之一，今天我们来谈谈MOS晶体管的电容特性。常见的MOS晶体管主要分为N型MOS管和P型MOS管，它们的基本结构和电路符号如图所示：MOS晶体管的伏安特性：电容

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MOS晶体管电容MOS管

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如何看懂二极管/三极管的命名机制？

晶体二极管和晶体三极管是电子电路中最重要的电子器件，主要功能是电流放大和开关作用，应用广泛，可以说凡是有电子电路的存在，十有八九必有二极管参与，所以了解二极管/三极管的分类、命名机制、伏安特性等知识很有用。1、二极管的分类：二极管按材料不同

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二极管三极管伏安特性

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晶体管的结构特点及伏安特性分析

晶体管是一种半导体器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。晶体管可以控制电流，而且具有高输入电阻、低输出电阻和低噪声等优点，因此在现代电子技术中被广泛应用。为帮助大家深入了解，本文将对晶体管的相关知识予以汇总。如果您对本文即将要涉及的内容感兴

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晶体管MOSFET伏安特性

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FET放大电路的分析

前面学了六种场效应管，了解了结构和伏安特性，模拟电路利用它们的恒流区构成共源、共漏和共栅的放大电路，数字电路利用它们的可变电阻区和截止区制成各种开关电路。场效应管放大电路的分析和晶体三极管放大电路分析是相同的，都是遵循“先静态，后动态”的原则。求解场效应管放大电路时可以利用已有的求解晶体三极管放大电

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放大电路FET放大电路

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二极管电路分析的重难点

第一周主要讲概念，介绍半导体物理知识、PN结的形成以及PN结的特性，而将PN结引上电极加上封装就是二极管。所以悄咪咪地我们就把二极管的特性介绍了。它的伏安特性↓↓↓上图三条曲线分别是三种材料（锗、硅、砷化镓）的二极管的伏安特性曲线，注意看不同象限内的单位哦。大家看到每条线都是弯弯绕绕的，标准的非线性

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二极管电路电路分析