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MOS晶体管在电子电路中是非常关键的电子部件,也是小白初学集成电路设计的重点内容之一,今天我们来谈谈MOS晶体管的电容特性。常见的MOS晶体管主要分为N型MOS管和P型MOS管,它们的基本结构和电路符号如图所示:MOS晶体管的伏安特性:电容
由于文章篇幅所限,不得不将MOS晶体管的电容特性分为上下两部分,上部分可点击我空间进行查看。4、若Vgs再增大,排斥掉更多的空穴,吸引了更多的电子,使得Si表面电位下降,能级下降,达到低于P型衬底的费米能级,这时Si表面的电子浓度超过了空穴
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