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产品概述
IMW120R007M1HXKSA1 CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，经过优化可提供 最低应用损耗和最高运行可靠性。 这些器件适用于在高温和恶劣环境中运行，能够以最高的系统效率实现简化和有效的部署。
IMW120R007M1H CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET采用紧凑的TO-247-3和TO-247-4封装。TO-247-4封装包含与源极的额外连接（Kelvin连接），它用作栅极驱动电压的参考电位，从而消除电压降在源极电感上的影响。因此，开关损耗甚至低于TO-247-3版本，尤其是在电流更大、开关频率更高的情况下。
参数：IMW120R007M1H /IMW120R007M1HXKSA1
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：225A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.9 毫欧 @ 108A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：220 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9170 nF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：750W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
封装/外壳：TO-247-3
应用——
光伏逆变器 ( (PV)
能力存储和电池充电
不间断电源 (UPS)
开关模式电源 (SMPS)
工业驱动器
医疗设备
注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
