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我们先来了解一下去耦和旁路的区别。
旁路电容，叫 bypass，是把输入信号中的高频成分作为滤除对象。
去耦电容，叫 decoupling，也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。
可以看到，旁路电容和去耦电容的作用都是滤波，只是在电路上的位置不同而已。
旁路一般位于信号输入端，去耦一般位于信号输出端。
去耦电容的第一个作用和旁路是一样的，高频滤波。
第二是充当储能电容，在负载所需电流突然增大时提供电能，满足驱动电路的电流变化，电容越大，储能越多，在一定范围内，满足负载电流变化更有效。
说完了去耦和旁路，来到正题，电容的去耦半径。
先记一下理论：小容值电容去耦路径短，超过去耦路径，就失去了去耦效果，所以一般靠近IC摆放。
大容值电容去耦路径长，摆放位置相对宽松一些。
所以，电源一般是先经过大电容，再经过小电容，再进入到IC芯片。
我画了一个简图，来帮助理解大小电容的摆放位置，你会发现，A和C处的两个电容都是小电容靠近IC，但是B处是大电容靠近IC，这是为什么呢？
首先，A和C处两个电容都是旁路电容，B处的两个电容是去耦电容（滤波加储能作用）。
其次，芯片A是电源芯片，它的输出相对于B处的1uF电容来说，就是输入，所以先经过1uF，再经过0.1uF，也是没有问题的。
最后，B处两个电容也作为储能电容，回路往往伴随较大的纹波电流，且会在电容的ESR上产生大量的热，同时形成纹波电压。所以靠近电源芯片的电容会流过更大的纹波电流，如果把小电容靠近电源芯片输出，容易出问题。
