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随着科技发展，晶体管在芯片中应用重要性日益凸显，晶体管的数量甚至直接决定着芯片性能的好坏，芯片内置的晶体管数量开始以数以千万为单位。可以说是晶体管撑起了芯片的半边天，今天我们将为小白归纳总结晶体管的基础知识。
晶体管外文名为transistor，是一种固体半导体器件，包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件，它的作用有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。交通费作为一种可变电流开关，可基于输入电压控制输出电流，与普通机械开关不同，晶体管是利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度非常快。
晶体管（半导体三极管）是由两个P-N结组成的三端电子器件，由于两个P-N结靠的较近，本身具有放大电信号的能力，因此在电子电路中远比半导体二极管应用广。半导体二极管是由一个P-N结组成的，它通过P-N结的单向导电性，在整流、检波等方面应用广泛。
晶体管的种类较多，按照使用的要求，可将晶体管分为低频管和高频管，小功率管和大功率管，高反压管和开关管等。但从基本结构来看，都由两个十分靠近的，分别称为发射结和集电结的P-N结组成。
两个P-N结将晶体管划分为三个区，分别是发射区、基区和几点去，由三个区引出的电极分别称为发射极、基极和集电极，用符号E、B、C（e、b、c）表示。
晶体管的基本形式可分为PNP型和NPN型两种，具体如下：
晶体管的主要技术参数：
1、放大系数
是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。
2、交流放大倍数
是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
3、耗散功率
是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
4、最高频率fM
是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
5、最大电流
是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。
6、最大反向电压
是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。
